505-直流電網及功率半導體器件研究博士后
科研團隊
直流研究中心
崗位職責
1.功率半導體器件（IGCT等）的設計、仿真、工藝、封裝研究；
2.集成電路芯片電源模塊和模擬電路設計、參數優化、仿真分析；
3.功率半導體器件驅動控制電路、高壓電源、器件測試平臺控制保護系統的研究；
4.新能源與直流電網關鍵裝備主回路方案設計、電氣參數計算、器件選型、功率模塊設計、仿真分析等研究。
任職要求
1.國內外正規全日制大學博士學位，電氣工程、電子工程、集成電路、控制工程等相關專業；
2.熟悉功率半導體器件（晶閘管、IGBT、IGCT等）工作原理，熟悉直流電網及其裝備（如MMC、直流變壓器、直流斷路器等）工作原理，有相關工作經驗者優先；
3.具有團隊協作意識、較強的責任心、勤奮的工作態度和務實的工作作風。
博士后職位
博后進站說明：
清華大學博士后進站基本條件：博士應屆畢業生或獲得博士學位3年以內、年齡35周歲以下，所學專業與所招聘博后研究項目切合。
薪資說明：
按照國家和清華大學博后規定享受相關待遇，并根據工作業績和貢獻從優發放獎金。錄取后進入清華大學博士后流動站，可申請各類博士后基金。出站后表現優異者可留校工作。
應聘者可根據自身條件申報清華大學“水木學者”或國家“博士后創新人才支持計劃”并獲得相應資助。
博后期間享受清華大學教職工社會保險、住房公積金等；可申請清華大學周轉房，解決留京戶口及子女上學問題。